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这种传感器是 硅薄膜压力传感器。它具有很多优良特性，但也存在因非 线性误差而难于实现高精度化的问题。因此，要应用于高精度传感器，就要解决非 线性误差问题。然而，为了定量地掌握非 线性误差，通过大量的实验和分析，寻求有关压阻特性的新的公式。从公式得知，传感器的非 线性误差和灵敏度，由应变计的配置来决定。基于这一点，设计出非 线性误羡较小的较佳应变计图形，研制了精度为±0.2以上的半导体压力传感器。然而，这种半导体压力传感器，在低压范围和承受正反两方向的压力的情况下进行高精度测量，也会产生不可忽略的非 线性误差。这种非 线性误差，是 由硅膜片的挠曲过大所导致的非 线性和压力方向不同使应力分布不对称而引起的。因此，为防止挠曲过大和改进应力分布的不对称性，研制出中间具有园形刚体的半导体压力传感器，从而高精度地测量低压和以前无法测量的正反两方向的压力。
硅一类的半导体具有压阻效应，因而产生应变时其阻值就产生很大变化。所谓压阻效应，指的就是 当产生应变时，使晶格间隔发生变化，从而使载流子的移动性发生变化的这种特性。
PN结温度传感器PN结的正向结压降随温度变化而变化，当取恒流供电时，在一定温度范围内，正向结压降随温度增加近似成线性递减。温度每升高1℃，结压降大约减小2mV。利用这种特性制成的硅PN结温度传感器国内已大量生产，并获得广泛应用。这种产品具有灵敏度高、体积小、重量轻、响应快、在一定温度区内呈线性变化、产品批量生产、造价较低等特点。
此外，为了扩展使用温区的上限，国内研制并生产了GaAs、SiC的PN结温度传感器，工作温度范围突破了硅管的150℃的上限。
晶体管温度传感器
晶体三极管的基极、发射极结压降Ube是 温度T的函数。当Ic恒定时，在一定温度区间Ube与T近似成线性关系。。由于集成温度传感器的优异性能，晶体管温度传感器已逐步被集成化温度传感器所取代。
集成温度传感器
利用硅集成电路工艺技术可以将感温电路、信号放大电路、电源电路、补偿电路等制作在一块芯片上，构成单片式硅集成温度传感器。集成温度传感器的基本感温电路。它们 是 一对匹配的晶体管，使之分别工作在不同的电流密度之下。当I1、I2为恒流时，两晶体管的Ube之差△Ube与T成线性变化。采用这种基本感温电路，可以设计出各种不同的电路形式和不同输出类型的集成温度传感器。
集成温度传感器外壳按输出信号形式分为电流型、电压型和频率型。它们 的突出优点是 ：在其适用温区范围内具有灵敏度高、线性好、功能全和使用简单方便。无论电压输出、电流输出还是 频率输出都适合于与微机直接接口。
传感器外壳，归类于五金冲压件。工件采用拉伸、冲压等工艺加工，较终成为所需温度传感器的主要配件。
传感器外壳可以提高传感器的防护等级，防止水、油、粉尘、碎屑等物质对传感器性能和使用寿命造成影响。同时还有防冲击的作用，在传感器受到外力轻微冲击时防止对传感器造成损伤。一般传感器使用金属外壳的较多，单纯的塑料外壳的较少。金属外壳具有很好的防冲击效果，而且还有优良的抗干扰效果，防止外界电磁干扰对测量造成影响。传感器冲压件还可以根据客户的需求进行镀银、镀金、镀镍等。
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