安森美半导体推出高性能场截止型IGBT,用于高能效电源转换
日期:2012-05-17 00:00
列的高性能IGBT充分利用了我们在高压沟槽型技术及晶圆工艺技术的知识产权及能力,同时为多种终端市场的客户提供高质量及强固的方案,用于他们讲究高能效的电源应用。
封装及价格
采用TO-247封装的场截止型IGBT器件节省电路板空间,经过优化,提供极低的通态压降和关闭开关损耗。NGTB15N120IHLWG、NGTB20N120IHLWG及NGTB25N120IHLWG电磁感应加热专用IGBT每批量2,500片的单价分别为1.50、1.80及2.00美元。NGTB15N120LWG、NGTB20N120LWG及NGTB25N120LWG电机驱动专用IGBT每批量2,500片的单价分别为1.75、2.10及2.35美
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