压控制进退刀位等等，因此位移传感器的选择尤为重要。在本系统的设计中，主要选择了霍尔式位移传感器，下面对霍尔传感器进行简单的介绍。
即在某种金属或半导体薄片两端通以控制电流I并在垂直于薄片平面的方向上施加一磁感应强度为B的磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上将产生一电势U。霍尔效应是由于运动电荷受磁场中洛伦磁力作用的结果，所产生的霍尔电势U与控制电流J及磁感应强度B之间的关系为式中：
为了提升元件的好用度，要求要Ph大，d要小。由于半导体的Rh比金属的要大得多，因此通常采用半导体制作霍尔元件。由上式可见