SiC MOSFET、SBD 在更高电压下替代硅 IGBT
日期:2022-06-14 09:44
再生能源发电、通过电网分配能源以及能源消耗,最重要的是在 eMobility 领域。然而,尽管 SiC 市场的收入已达到 10 亿美元,但在大规模采用方面仍面临重大挑战。
首先,更高的电压会导致设计复杂性的增加。另一个问题是 3.3kV 功率器件的供应商并不多。3.3 kV 的产品很少,可用的产品尺寸更大,生产成为这些产品的挑战,Weber 说。他补充说,在更高的电压下需要进行全新的开发工作,因为设计人员会面临可能损坏设备的高压尖峰。还有 EMI 问题作为关键设计考虑因素。

图 23.3 kV SiC MOSFET 和 SBD 面向服务于电动汽车、可再生能源/电网以
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