SiC MOSFET、SBD 在更高电压下替代硅 IGBTB2B商贸网站B2B电子商务平台　中国商贸网站　B2B网站大全－b2b.86x.net行业资讯B2B商贸网站B2B电子商务平台　中国商贸网站　B2B网站大全

SiC MOSFET、SBD 在更高电压下替代硅 IGBT
日期:2022-06-14 09:44
及工业和医疗系统的高压设计。资料来源：微芯片
这清楚地表明了传统 IGBT 市场如何逐渐转向提供更低 RDS(on)和更高额定电流的 SiC 器件，从而打破电力电子领域的新壁垒。像 Microchip 这样的芯片制造商正在整合 SiC 在裸片、分立和模块功率器件方面的努力，这一事实标志着这种宽带隙半导体的进一步发展。