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联华电子开启12英寸纪元 为20nm及以下制程奠定基石

放大字体  缩小字体 发布日期:2012-05-25  来源:IC设计与制造  浏览次数:121
核心提示:联华电子24日举行南科十二寸晶圆厂Fab12A第五、第六期厂房动土典礼。此次扩建将开启联华电子12寸制造新纪元,不仅大幅提升28nm产

联华电子24日举行南科十二寸晶圆厂Fab12A第五、第六期厂房动土典礼。此次扩建将开启联华电子12寸制造新纪元,不仅大幅提升28nm产能,也为20nm及以下制程奠定稳固基石,除满足客户对先进制程的需求外,更将推动联华电子迈入下一波成长。

联华电子董事长洪嘉聪表示,“我们乐观看待半导体与晶圆专工产业的长期发展,为因应产业环境快速变化与掌握市场先机,我们订定以客户导向晶圆专工解决方案做为经营策略,此一策略系由纯晶圆专工模式与开放的供应链生态系统所组成。在此经营模式下,我们依据客户需求与所处供应链中的位置,适时且持续地投资,与客户、供应链厂商之间形成互补互利且共创三赢的长期伙伴关系。Fab 12A厂区第一至四期预计资本支出将达美金80亿元,第五及第六期预定再投入约美金80亿元,第七及第八期厂区也将陆续展开规划,展现联华电子永续经营的决心。”

联华电子执行长孙世伟博士表示,“过去十年,我们位于台湾与新加坡的12寸晶圆厂,巩固了联华电子在晶圆专工的领导地位。经由多年来自主研发的努力,联华电子成功开发出一系列最先进半导体技术; 28nm Poly SiON 进入行动通讯及运算产品上量的阶段, 28nm Gate-Last HK/MG 也将于今年下半年导入旗舰产品之试产, 20nm HK-Last HK/MG 与 14nm FinFET 的研发进展顺利, 12寸特殊制程如高压、嵌入式非挥发性记忆体、背面照度式CMOS影像传感器、2.5D interposer、3D IC TSV 等技术也与客户密切合作开发,使联华电子成为供应全方位技术的晶圆专工领导厂商。我们深信,与客户及供应链伙伴间的密切合作,将成为共同追求成长并降低风险的致胜关键。联电Fab 12A晶圆厂区第五至第八期扩建工程,将与客户及厂商技术蓝图紧密配合,遵循联电“客户导向晶圆专工解决方案”的经营策略,强化本身竞争力,协助客户顺利导入新世代产品,并持续为公司成长注入动能,进一步提升获利能力及股东权益报酬。”

联华电子於1999年11月进驻台南科学园区,建造台湾第一座12寸晶圆专工厂。今日动土兴建的第五、第六期厂房,将成为全球供应28, 20及14nm产能的尖端12寸晶圆专工厂,预计在 2013 年下半年进行机台移入。洁净室总面积为5万3千平方公尺,相当於10座美式足球场大小,Fab 12A厂区将增加超过2,600个工作机会,最大规划月产能将由8万片提升至13万片,加上规划中的第七、第八期厂房,Fab 12A总计八期的晶圆厂,月产能将达到18万片。联华电子不断扩增在台南科学园区的投资规模,除了坚定落实“深耕台湾,布局全球”的经营承诺,也将启动联电下一波高成长时代的来临。

 
 
 
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