日期:2012-05-17 00:00
Diodes Incorporated 推出一系列采用薄型DFN2020-6封装的高效率N通道及P通道MOSFET。DFN2020H4封装的DMP2039UFDE4，离板高度只有0.4毫米，占板面积只有四平方毫米，是一款额定电压为 -25V的P通道器件，体积较同类器件纤薄50%。同系列另一采用DFN2020E封装的MOSFET则具有0.5毫米离板高度，较其他一般离板高度为0.6毫米的MOSFET纤薄20%。
DMP2039UFDE4针对负载开关应用，为电路设计人员提供3kV的电路保护，以免受人体本身的静电放电所影响。这些最新推出的MOSFET拥有