日期:2012-05-17 00:00
低典型RDS(on) 的特性，例如 -12V P通道的DMP1022UFDE，在4.5V的VGS下只有13m，使电池充电应用的传导损耗减至最少。
20V N通道的DMN2013UFDE在直流/直流降压及升压转换器内，成为理想的负载开关或高速开关，并提供2kV的高静电放电保护。DMN6040UFDE将会是首批采用DFN2020封装的高电压MOSFET之一，在60V的VDS下运行，并适合应用于系统微型化设计行业 (Small form-factor industrial) 及供热通风与空气调节系统 (HVAC) 控制。
新产品特别适合应用于极纤巧的便携式产品设计，例如智能手机、平板电脑及数码相机。