日期:2013-08-31 19:47
到10纳米以下的难以逾越的障碍，为全球客户提供最高密度的可靠性，性能提高20%，能耗降低40%。
我们将继续为服务器、移动设备以及PC市场推出各种不同的绿色内存产品以及解决方案，帮助减少能源浪费，在企业级和消费级领域创造更大的共同价值。
据三星称，专有的3D V-NAND技术比20纳米级NAND闪存的制造生产力提高了两倍以上，通过利用3D Charge Trap Flash单元结构以及垂直互连技术，连接24层组成3D单元阵列。
3D V-NAND固态盘将从本月开始生产。