。整个光催化氧化设备反应中，OH起着决定性作用。半导体内产生的电子一空穴对存在着分离破俘获与复合的竞争，电子与空穴复合的几率越小，光催化活性越高一般认为，半导体粒子尺寸越小，电子与空穴迁移到表面的时间越短，复合的几率越小；同时粒子尺寸越小，比表面越大，越有利于反应物的吸附，从而增大反应几率日。故目前光催化技术研究主要集中在粒子尺寸极小的纳米级(1~100nm)半导体。但也有学者认为，由于催化剂制备的热处理过程中伴随着结晶、晶格缺陷、表面轻基等变化，在光催化反应中又涉及到光吸收以及载流子俘获复合等因素，因此