日期:2022-06-14 09:33
型晶圆厂目前正忙于在其新的 3 纳米工艺节点上批量生产芯片，该工艺节点基于下一代晶体管结构，称为全环栅极 (GAA)。GAA 制造技术将大量 MOS 晶体管集成在一个小得多的芯片中。三星将其称为多桥通道场效应晶体管 (MBCFET)。
图2三星于 2017 年进入代工业务。
在这里，值得一提的是英特尔，它在亚 10 纳米工艺节点的晶圆厂竞赛中遥遥领先。虽然英特尔目前在较小的工艺节点上苦苦挣扎，但它计划通过在 2024 年下半年量产 1.8 纳米芯片来赶上亚 2 纳米工艺节点领域。
还值得注意的是，虽然台积电和三星因其在创建亚 10 纳米工艺节点方面的作