日期:2022-06-14 09:44
提供更高电压的碳化硅 (SiC) 器件现在以裸片、封装和模块形式提供，作为硅 IGBT 的替代品，同时以更低的 RDS(on)和更高的额定电流推动设计障碍。以 Microchip Technology 为例，该公司推出了三个 SiC MOSFET 和两个肖特基势垒二极管 (SBD)。这些设备的工作电压为 3.3 kV，旨在为牵引动力装置 (TPU)、辅助动力装置 (APU)、固态变压器 (SST)、工业电机驱动器和能源基础设施解决方案提供服务。
3.3 kV SiC MOSFET在 104 A 时提供低至 25 mῼ 的RDS(on)，而 3.3 kV SBD 的额定电流高达 90 A。这些组件也可用于低感应模块以及具有以下特性和帮