SiC MOSFET、SBD 在更高电压下替代硅 IGBT
日期:2022-06-14 09:44
助开发人员在系统设计级别配置和定制 SiC 器件的工具。此外,Microchip 还提供栅极驱动器和 MCU 和触摸传感器等部件,以补充系统方法并加快上市时间。











图 1SiC 器件被认为非常适合 EV 系统,例如外部充电站、车载充电器、DC-DC 转换器和动力系统/牵引力控制解决方案。资料来源:微芯片
Microchip 碳化硅解决方案产品线总监 Rob Weber 表示:我们正在推出一类新的高压产品,可解决硅 IGBT 的性能和速度限制,同时确保在更高功率下更快的开关和更低的损耗。
他指出,在过去的几年中,SiC 的采用在各种应用中大放异彩,包括通过可
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