解构英特尔FinFET：fin更少、更像三角形
日期:2012-05-24 00:00
会是一种通用型设计吗？或是这种块状FinFET技术能实现在fin蚀刻方面？
就尺寸而言，矩形与梯形FinFET并没有明显差异，但并不具备掺杂浓度相关知识的GSS假设了一个浅掺杂通道。GSS同时表示，在浅沟漕隔离（STI）区域中，fin下方有一个高渗杂浓度固定器（doping concentration stopper）。显然，与传统的块状MOSFET相较，FinFET看起来复杂度要高出许多，GSS表示。

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