3.3 kV SiC MOSFET在 104 A 时提供低至 25 mῼ 的R DS(on) ，而 3.3 kV SBD 的额定电流高达 90 A。这些组件也可用于低感应模块以及具有以下特性和帮助开发人员在系统设计级别配置和定制 SiC 器件的工具。此外，Microchip 还提供栅极驱动器和 MCU 和触摸传感器等部件，以补充系统方法并加快上市时间。
图 1 SiC 器件被认为非常适合 EV 系统，例如外部充电站、车载充电器、DC-DC 转换器和动力系统/牵引力控制解决方案。资料来源：微芯片
Microchip 碳化硅解决方案产品线总监 Rob Weber 表示：“我们正在推出一类新的高压产品，可解决硅 IGBT 的性能和速度限制，同时确保在更高功率下更快的开关和更低的损耗。”
他指出，在过去的几年中，SiC 的采用在各种应用中大放异彩，包括通过可再生能源发电、通过电网分配能源以及能源消耗，最重要的是在 eMobility 领域。然而，尽管 SiC 市场的收入已达到 10 亿美元，但在大规模采用方面仍面临重大挑战。
首先，更高的电压会导致设计复杂性的增加。另一个问题是 3.3kV 功率器件的供应商并不多。“3.3 kV 的产品很少，可用的产品尺寸更大，生产成为这些产品的挑战，”Weber 说。他补充说，在更高的电压下需要进行全新的开发工作，因为设计人员会面临可能损坏设备的高压尖峰。“还有 EMI 问题作为关键设计考虑因素。”
图 2 3.3 kV SiC MOSFET 和 SBD 面向服务于电动汽车、可再生能源/电网以及工业和医疗系统的高压设计。资料来源：微芯片
这清楚地表明了传统 IGBT 市场如何逐渐转向提供更低 R DS(on)和更高额定电流的 SiC 器件，从而打破电力电子领域的新壁垒。像 Microchip 这样的芯片制造商正在整合 SiC 在裸片、分立和模块功率器件方面的努力，这一事实标志着这种宽带隙半导体的进一步发展。
