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SEMI:制定3D IC制程标准须与国际接轨

放大字体  缩小字体 发布日期:2012-05-31  来源:SEMI   浏览次数:70
核心提示:日前,在SEMI台湾和台工研院共同主办、先进堆叠系统与应用研发联盟(Ad-STAC)协办的SEMI国际技术标准制订与全球3DIC技术标准研讨

日前,在SEMI台湾和台工研院共同主办、先进堆叠系统与应用研发联盟(Ad-STAC)协办的“SEMI国际技术标准制订与全球3DIC技术标准研讨会”中,半导体制造联盟(SEMATECH)3DEnablementCenter的RichardA.Allen,以及SEMI资深协理JamesAmano,分享了数项SEMI国际技术标准最新发展、成功案例,以及国际上3DIC技术标准之布局。

SEMI指出,3DIC由于整合度高、体积小、成本和功耗低等优势,已成现今半导体产业不可或缺的重要发展技术。SEMI台湾集结多家相关业者,积极参与国际产业技术标准的制订,持续讨论和研拟制订不同生产阶段中所需的标准,透过专利权的建置、掌握国际标准脉动,才是让台湾厂商持续创造竞争优势,以应产业万变的最佳策略。

台湾工研院量测中心副主任林增耀在会中表示,世界经济局势变动剧烈,唯有拥有专利、掌握国际标准脉动,才是创造竞争优势以应万变的最佳策略,参与国际产业技术标准的制订,更成为台湾企业布局国际市场的重要攻防战。

半导体制造联盟(SEMATECH)3DEnablementCenter的RichardA.Allen于会中表示,3DIC具备整合度高、体积小、成本和功耗低等优势,已成现今产业不可或缺的重要发展技术,而随着3DIC技术受到重视,如何建立立体堆叠整合最常用的矽穿孔(TSV)技术标准也备受瞩目。

SEMI产业标准与技术专案资深经理张嘉伦指出,SEMI在台湾致力于推动3DIC标准制订,已集结包括台积电、联电、日月光、矽品、晶电、联发科、汉民科技等半导体大厂参与讨论不同生产阶段中所需的标准,相关技术领域范围涵盖矽穿孔(TSV)、接合和薄化制程、测试检验和量测、设备和材料标准的研拟和制订。

SEMI指出,由于3DIC设计复杂度远高于传统晶片,技术及成本挑战接踵而来,SEMI以制造业需求为导向,所制订出的3DIC产业技术标准,对提升产能、降低制造成本、缩短产品上市所需时间,以确保全球各地在设备与制程的相容性,而这也是牵连到台湾企业布局国际市场的重要攻防战。

 
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